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      Entretien pour Memory Design Engineer

      22 janv. 2013
      Employé (anonyme)
      San Diego, CA

      Autres retours d’entretien d’embauche pour un poste comme Memory Design Engineer chez Qualcomm

      Entretien pour Memory Design Engineer

      12 janv. 2022
      Candidat à l'entretien anonyme
      Aucune offre
      Expérience positive
      Entretien moyen
      Offre acceptée
      Entretien moyen

      Candidature

      J'ai passé un entretien chez Qualcomm (San Diego, CA) en déc. 2012

      Entretien

      Had a phone interview followed by 3 rounds of onsite interview. Few questions on verilog coding, state machine to realize time domain crossing between clock domains, layout practises to minimize diffucion cap/power, leakage paths in SRAM, latchup, effect of temperature on MOS, combinational gate realizations etc..Also some questions on the projects mentioned in the resume.

      Questions d'entretien [1]

      Question 1

      state machine to realize time domain crossing between clock domains
      Répondre à cette question

      Candidature

      J'ai passé un entretien chez Qualcomm

      Entretien

      The interviewer was very cooperative and polite. He asked simple digital design questions and sram memory. Prepare well about memories. Also he asked about dynamic circuits and domino effect. Started from basics questions and taught the things i did not answer. I was bit under qualifies for the position. Clear your basics.

      Questions d'entretien [1]

      Question 1

      Draw the diagram of SRAM
      Répondre à cette question
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