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      Entretien pour Device Engineer

      17 avr. 2026
      Candidat à l'entretien anonyme
      Singapour
      Aucune offre
      Expérience positive
      Entretien moyen

      Candidature

      J'ai passé un entretien chez Micron Technology (Singapour)

      Entretien

      The interview was pretty easy. They were asking about mosfet fundamentals and short channel effects like DIBL,GIDL etc. they asked c-v plots of mosfet and moscap. They also asked few questions on analog electronics

      Autres retours d’entretien d’embauche pour un poste comme Device Engineer chez Micron Technology

      Entretien pour Device Engineer

      25 avr. 2023
      Candidat à l'entretien anonyme
      Aucune offre
      Expérience neutre
      Entretien moyen

      Candidature

      J'ai passé un entretien chez Micron Technology

      Entretien

      One campus inverter; four technical questions are asked regarding VLSI logic circuit design Why does a NAND memory cell have a finite number of write/erate cycles? Create a XOR gate with only 4 NAND gates

      Questions d'entretien [1]

      Question 1

      Why does a NAND memory cell have a finite number of write/erate cycles? Create a XOR gate with only 4 NAND gates
      Répondre à cette question

      Entretien pour Device Engineer

      3 déc. 2020
      Employé (anonyme)
      New York, NY
      Offre acceptée
      Expérience positive
      Entretien moyen

      Candidature

      J'ai postulé via un établissement d'enseignement supérieur ou universitaire. Le processus a pris 1 jour. J'ai passé un entretien chez Micron Technology (New York, NY)

      Entretien

      2 rounds of interview, both technical and online Started with basic pn junction and covered till mosfets. 3 people were there in the panel, they were warm and didn't make u nervous

      Questions d'entretien [1]

      Question 1

      Explain pn junction in reverse and forward bias, explain the energy spectrum, the band energy, the fabrication of mosfet, effect on the junction of the diode with variation in biasing, working of bjt, mosfet in intricate details
      Répondre à cette question

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