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      Entretien pour Yield Enhancement Engineer

      30 août 2012
      Employé (anonyme)
      Singapour
      Offre acceptée
      Expérience positive
      Entretien moyen

      Candidature

      J'ai postulé via un établissement d'enseignement supérieur ou universitaire. Le processus a pris 1 jour. J'ai passé un entretien chez GlobalFoundries (Singapour) en févr. 2008

      Entretien

      I went to the campus interview and the interviewer was kind and knowledgeable, he gave me a lot of semiconductor process and device related questions and I answered only part of it. He gave me some hints when I was getting confused. After interview. After the interview, he immediately offered me a job, and I accepted it right after. It's my first job and I know it's just the right one I'm looking for.

      Questions d'entretien [1]

      Question 1

      During the interview, I was a bit nervous and suddenly couldn't recall capacitor's charge to capacitance formula. The interviewer game me some hints and guided me to derive the formula out.
      Répondre à cette question
      4

      Autres retours d’entretien d’embauche pour un poste comme Yield Enhancement Engineer chez GlobalFoundries

      Entretien pour Yield Enhancement Engineer

      25 mai 2012
      Employé (anonyme)
      Offre acceptée
      Expérience positive
      Entretien difficile

      Candidature

      J'ai postulé via un établissement d'enseignement supérieur ou universitaire. Le processus a pris 1 jour. J'ai passé un entretien chez GlobalFoundries en févr. 2010

      Entretien

      The interview was held by 3 person and was over the phone. After brief discussion about my general background, the interviewers asked question about characteristics of a CMOS transistor, its working principle and tested my understanding of different characterization graphs. I was also asked to share my own thoughts on practical situations that engineers will face during working in GF.

      Questions d'entretien [3]

      Question 1

      Describe the sub threshold curve of an NMOS transistor .
      Répondre à cette question

      Question 2

      Explain the reason behind the phenomenon called pinch off
      Répondre à cette question

      Question 3

      Is it desirable to have an Ids-Vgs curve which is more steep or less?
      Répondre à cette question
      2

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